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从分析石墨电弧法制取巴基管的电弧物理现象入手，详细讨论了电弧力及高速离子流在合成巴基管时的作用，指出在制取巴基管的理想条件的电弧过程中，电极的消耗以Ｃｎ为主，以Ｃ２的消耗为辅，并由此提出了巴基管由Ｃｎ的侧向连接，卷曲生长的长大机制。
石墨—电弧法合成巴基管生长机制的探讨
【摘 要】
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从分析石墨电弧法制取巴基管的电弧物理现象入手，详细讨论了电弧力及高速离子流在合成巴基管时的作用，指出在制取巴基管的理想条件的电弧过程中，电极的消耗以Ｃｎ为主，以Ｃ２的消耗为辅，并
【机 构】
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清华大学机械工程系
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1996年1期
【基金项目】
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国家教委博士点基金
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