压埋法制备MgB2超导材料的工艺

来源 :南京工业大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:lsq_1123
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介绍了一种用压埋法合成块状MgB2超导体的新方法.采用该方法得到的样品的临界温度可高达38.4 K,与常规方法得到的样品的临界温度相近.对这种方法的合成工艺进行了探讨,发现烧结温度(Ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大.在相同的0.5 h保温时间条件下,烧结温度在1 073~1 123 K温区获得的样品临界温度最高.固定烧结温度(1 123 K),不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低.进一步对样品的剩余电阻率比(RRR)进行研究,实验结果表明随着RRR数值的增加临界转变温度
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