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采用溶胶凝胶旋涂法,在石英衬底上引入缓冲层制备ZnO∶Sn薄膜。利用四探针电阻率测试仪、X射线衍射仪（XRD）、光致发光（PL）谱仪、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）等测试手段对薄膜的微观结构和光电性能进行表征。结果表明：所制样品均呈现六角纤锌矿晶体结构并沿C轴择优生长,薄膜的结晶质量和光电性能达到改善,适当厚度的缓冲层可以有效缓解薄膜和衬底间的晶格失配。随着缓冲层厚度的增加,薄膜的电导率以及在可见光范围的透过率先增大后减小。制备两层缓冲层薄膜性能最优,电阻率达到9.5×10-3Ω·