【摘 要】
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我们采用单Nd∶YAG棒平凹谐振腔设计及临界相位匹配的KTP晶体 ,利用内腔倍频技术获得了平均功率为 10 4W的绿光输出。实验装置如图 1。实验采用美国CEO公司生产的半导体激光
【机 构】
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天津大学激光与光电子研究所光电信息技术科学教育部重点实验室,天津大学激光与光电子研究所光电信息技术科学教育部重点实验室,天津大学激光与光电子研究所光电信息技术科学教育部重点实验室,天津大学激光与光电子
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我们采用单Nd∶YAG棒平凹谐振腔设计及临界相位匹配的KTP晶体 ,利用内腔倍频技术获得了平均功率为 10 4W的绿光输出。实验装置如图 1。实验采用美国CEO公司生产的半导体激光器组件 ,它由 80个 2 0W二极管激光器组成 ,按照五角形等间距侧面抽运Nd∶YAG棒 ,其总抽运功率为 16 0 0
We use a single Nd: YAG rod parallel concave cavity design and critical phase matching KTP crystal, the use of lumen frequency doubling technology to obtain an average power of 10 4W green output. Experimental device shown in Figure 1. Experiments using the United States CEO company’s semiconductor laser components, which consists of 80 20W diode laser components, according to the equally spaced pentagonal side pumped Nd:YAG rods, the total pumping power of 16 0 0
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