【摘 要】
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基于SiC衬底的0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一款X~Ku波段宽带1W驱动放大器单片微波集成电路。设计使用了一种有源器件的大信号输出阻抗的等效RC模型验证了GaNHEMT工艺模型的
【基金项目】
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中国科学院空间科学战略性科技先导专项基金项目(XDA04060300),中国博士后科学基金项目(2013M540147).
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基于SiC衬底的0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一款X~Ku波段宽带1W驱动放大器单片微波集成电路。设计使用了一种有源器件的大信号输出阻抗的等效RC模型验证了GaNHEMT工艺模型的准确性,并获得了不同尺寸的GaNHEMT的大信号输出阻抗。第一级管芯采用负反馈结构,降低匹配网络的Q值,通过带通匹配网络拓扑,实现了宽带匹配。测试结果表明,在28V的工作电压下,8~18GHz的频率内驱动放大器实现了输出功率大于30dBm,功率附加效率大于21%,功率增益大于15dB。芯片尺寸为:2.20mm
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