【摘 要】
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介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外延片，并确定了比较好的生长
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介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外延片，并确定了比较好的生长工艺条件．这对生长高质量的ＧａＡｓ外延片及制做参数一致性好、可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义．
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