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本文针对多晶硅太阳电池的电势诱导衰减（PID）现象,通过开发高折射率电池镀膜工艺,把改变双层减反射膜的折射率作为重点调试的工艺参数,调节镀膜时的Si H4：NH3比例,同时对膜厚进行适当的调整,最终使电池片的光电转换效率稳定在17.7%以上,组件经PID测试峰值功率衰减小于5%,达到抗PID要求。