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采用0．5μm GaAs pHEMT工艺研制的5．2～5．8GHz有源单片式巴仑芯片，最终测试表明：工作带宽之内，芯片输入输出驻波均小于1．5，两输出端幅度之差最大为0．8dB（@5．8GHz），最小为0．08dB（@5．6GHz）,相位之差为174．3°（@5．2GHz）到180．6°（@5．8GHz），与理想差分比较，带内误差小于6°，双端输出时具有明显的功率增益，约在1．7～4．95dB之间，P1dH输出功率为10．5dBm左右，二次谐波失真比HDz典型值为-30dBc