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在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3．0A、跨导大于0．8S、阂值电压2～3V、导通电阻比同样条件的VDMOS降低了19％～43％，在175MHz、VDS=12VTN出功率Po为7W、漏极效率ηD为44％、功率增益GP为10dB。