中国“芯”希望——IGBT产业

来源 :金融言行:杭州金融研修学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：peterkong

【摘要】

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一、IGBT概述IGBT(lnsulated gate bipolar transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,有MO

【作者】

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陈萌秦基栗

【机构】

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中信建投证券研究发展部

【出处】

：

金融言行:杭州金融研修学院学报

【发表日期】

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2018年12期

【关键词】

：

BT产业功率半导体器件 IGBT 中国电力电子行业新能源汽车半导体厂商 GATE

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一、IGBT概述IGBT(lnsulated gate bipolar transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,位居第二位(简称“02专项”),被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛运用于家用电器、智能电网、新能源汽车、轨交等重要领域。一直以来,IGBT被国外半导体厂商垄断,其国产化道路艰难,但

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