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基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准。结果表明,在温度-25℃-125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db。该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源。
高精度低温度系数带隙基准电压源的设计
【摘 要】
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基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准。结果表明,在温度-25℃-125℃范围,基准电压温度系数为1
【机 构】
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沈阳工业大学,中国电子科技集团公司第四十七研究所
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2009年5期
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