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在EKVv2．6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOS RFIC CAD的RF-MOSFET模型，模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑．在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上，开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法．模型最终应用到采用CSM（Chartered Semiconductor ManufactureLtd）O．25μmRF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指（每指尺寸长L=0．24μm，宽W=9．58μm）n-MOSFET建模中，