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在Monte Carlo方法模拟keV电子碰撞薄膜／厚衬底靶过程中，输入材料数据中采用的内壳层电离截面数据不同，得到的反映膜厚及村底对电离截面测量结果影响的修正因子值也有差别。讨论了Monte Carlo模拟得到的修正因子值受输入材料数据中内壳层电离截面影响的程度，并完成了入射keV电子在法拉第筒中逃逸率的估算工作。