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穿透硅通孔技术是实现3-D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用SF6和CF4、SF6和C4F8、SF6和O2三组不同组合气体,对硅基材料进行交替复合深刻蚀,获得了不同组合气体对硅的横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率,实现了对硅的各项异性刻蚀,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。