沉积能量对ABO_3型薄膜生长的影响

来源 :四川大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：troy003

【摘要】

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报道在Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了

【作者】

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谭浚哲朱基亮张青磊吴家刚于光龙朱建国肖定全

【机构】

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四川大学材料科学系四川大学材料科学系成都

【出处】

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四川大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2005年S1期

【关键词】

：

MONTE Carlo 沉积能量扩散晶胞 Monte Carlo energy deposition diffusion crystal unit c

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报道在Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,8

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