硅衬底MgB_2-B-MgB_2超导SNS约瑟夫森结的制备与特性

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:maria76
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利用两步原位电子束蒸发技术,在Si(111)衬底上制备了MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森夹心结.夹心硼(B)层厚度从10nm到80nm范围内MgB2-B-MgB2/Si(111)薄膜表现出明显的SNS约瑟夫森结特性,而在5nm和100nm处薄膜分别是整体超导和正常金属特性.在同一温度下,随着硼层厚度的增加,临界结电流减小,对同一厚度下,临界结电流随着温度的增加而减小.同时,实验指出,夹心硼SNS超导MgB2约瑟夫森结的电流-电压(I-V)曲线具有回滞现象,符合SM模型. The MgB2-B-MgB2 superconducting SNS Josephson sandwich junction was prepared on Si (111) substrate by two-step in-situ electron beam evaporation technique.The thickness of the sandwich boron (B) layer ranged from 10nm to 80nm -MgB2 / Si (111) films show obvious SNS Josephson junction characteristics, while the films at 5 nm and 100 nm are the overall superconductivity and normal metal properties respectively.With the increase of boron layer thickness, the critical junction The current decreases and the critical junction current decreases with the increase of temperature for the same thickness.At the same time, it is shown that the current-voltage (IV) curve of MgB2 Josephson junctions sandwiching boron-bonded SNS superconductors has hysteresis, which accords with SM model.
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