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介绍了一种新型硅磁电负阻-振荡器件——S型负阻-振荡硅磁敏三极管．该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件，采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作．实验结果表明，集电极电流随外加磁场的变化而变化；在基极注入电流一定时，出现集电极电流受外加偏压Ke调制的负阻一振荡特性，且集电极电流振荡随外加磁场而变化．对该器件负阻一振荡特性的形成机理进行了讨论，结果表明，在集电区n^+π结和基区与π区形成的p^+π结均处于反偏条件下，当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时，该磁