【摘 要】
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工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片.所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以
【机 构】
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江苏信息职业技术学院微电子学院,江苏无锡214153;江苏省专用集成电路重点实验室,江苏南通226000
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工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片.所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压.此外,针对ZTC工作点对工艺偏差的敏感性,根据蒙特卡洛仿真结果,专门设计了熔丝修调电路,以保证电路的输出结果具有较高工艺稳定性.该电路在CSMC0.18 pm CMOS工艺平台进行了流片验证,芯片面积为0.002 5 mm2.结果表明该芯片在室温时能够稳定输出475.5 mV电压,在-40-125℃内,温度系数达到1.8×10-6/℃,在10 kHz时电源抑制比达到-68.7 dB.
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