【摘 要】
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叙述了PbS薄膜的化学水浴制备方法及PbS薄膜形貌、性能测试及湿热环境（相对湿度95%）试验的过程,阐述了PbS探测器芯片经湿热环境试验后暗阻等性能参数的变化情况,分析了其原因和
【机 构】
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中国空空导弹研究院,红外探测器技术航空科技重点实验室
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叙述了PbS薄膜的化学水浴制备方法及PbS薄膜形貌、性能测试及湿热环境（相对湿度95%）试验的过程,阐述了PbS探测器芯片经湿热环境试验后暗阻等性能参数的变化情况,分析了其原因和相关机理。短时间（1 h）内湿热环境下,其性能参数变化在5%以内,在持续24 h的潮湿环境后,PbS的暗阻增大50%以上。在之后的2×24 h、3×24 h、4×24 h、5×24 h湿热环境下,暗阻值增量随时间递增呈正比例关系。当潮湿试验进行到7×24 h后,部分试验样件无法测试
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