【摘 要】
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采用离子束溅射的方法在玻璃衬底上制备CdS多晶薄膜,研究了沉积过程中基底温度（100～400℃）与薄膜厚度（35～200nm）对其微结构与光电性能的影响。结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄
【机 构】
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深圳大学物理科学与技术学院薄膜物理与应用研究所
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采用离子束溅射的方法在玻璃衬底上制备CdS多晶薄膜,研究了沉积过程中基底温度（100～400℃）与薄膜厚度（35～200nm）对其微结构与光电性能的影响。结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有（002）择优取向生长特征;随着基底温度的升高,（002）特征衍射峰强度增加,半高宽变小相应薄膜结晶度增大,有利于颗粒的生长;分析CdS薄膜的光谱图线可知,薄膜在可见光区平均透射率高于75%,光学带隙值随着基底温度升高而增大（2.33～2.42eV）且薄膜电阻高达109Ω;在基底温度为40
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