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本文根据雪崩电场及限制隧道电流要求出发,画出结构参数选择空间。估算和选择了InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD器件结构,测量了光电流-电压的二级阶梯扭折曲线,给出和讨论了与实际测量的M_ρ比较吻合的经验公式。
InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量
【摘 要】
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本文根据雪崩电场及限制隧道电流要求出发,画出结构参数选择空间。估算和选择了InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD器件结构,测量了光电流-电压的二级阶梯扭折曲线,给出和讨论了与实
【机 构】
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武汉电信器件公司研究开发部高级工程师
【出 处】
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光通信研究
【发表日期】
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1989年4期
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