基于改进水热法的Ga_(2)O_(3)纳米棒制备及表征

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：darling1989

【摘要】

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采用改进的水热法对衬底进行预处理,分别在单晶硅Si(111)和蓝宝石C(0001)衬底上生长一层Ga2O3籽晶层。籽晶层退火处理后放入Ga2(NO3)3溶液高压反应釜内进行水热反应,待反应结

【作者】

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刘英英陈海峰

【机构】

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西安邮电大学电子工程学院

【出处】

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电子元件与材料

【发表日期】

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2021年5期

【关键词】

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水热法单晶硅蓝宝石 Ga2O3籽晶层 -Ga2O3纳米棒

【基金项目】

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国家自然科学基金(61306131),陕西省自然科学基础研究计划(2020JM-581)。

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采用改进的水热法对衬底进行预处理,分别在单晶硅Si(111)和蓝宝石C(0001)衬底上生长一层Ga₂O₃籽晶层。籽晶层退火处理后放入Ga₂(NO₃)₃溶液高压反应釜内进行水热反应,待反应结束进行二次退火,成功制备出了Ga₂O₃纳米棒。研究了不同温度对籽晶层和Ga₂O₃纳米棒的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)

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