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介绍了Ge纳米粒子的特性，及利用脉冲激光沉积系统（PLD）制备Ge纳米粒子嵌入非晶SiO2薄膜中的方法、理论依据和工艺条件及结果。X射线衍射及晶体分析软件确定了锗纳米粒子在600℃中退火时的晶格常数变小而衍射强度增加，其晶格常数减小可能是由于锗的周围氧化生成氧化锗壳层包围并挤压Ge纳米粒子所致。