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采用单层(～0.5nm)或多层LB聚酰亚胺超薄膜,在掺杂浓度为1×10~(15)cm~(-3)的p—Si(100)衬底上制作了超薄MIS结构。通过掩模蒸铝形成顶部电极。I—V和C—V特性表明,样品具有少子隧道二极管特性。
LB绝缘膜MIS少数载流子隧道二极管
【摘 要】
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采用单层(～0.5nm)或多层LB聚酰亚胺超薄膜,在掺杂浓度为1×10~(15)cm~(-3)的p—Si(100)衬底上制作了超薄MIS结构。通过掩模蒸铝形成顶部电极。I—V和C—V特性表明,样品具
【机 构】
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东南大学电子工程系,东南大学电子工程系南京210018,南京210018,南京210018
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1993年2期
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