三聚噻吩的表面光电压谱研究

来源 :高等学校化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zjamoy

【摘要】

：

采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为. 结合三聚噻吩的UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论, 指认了三聚噻吩能级跃迁性质,

【作者】

：

曹昌盛王策曹亚安史延慧李铁津

【机构】

：

吉林大学化学系,中国科学院化学研究所

【出处】

：

高等学校化学学报

【发表日期】

：

2001年6期

【关键词】

：

三聚噻吩极化子表面光电压谱电场诱导表面光电压电子运动电子跃迁 Terthiophene(α3T) Polaron Surface photovol

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采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为. 结合三聚噻吩的UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论, 指认了三聚噻吩能级跃迁性质, 即380 nm附近的峰为带-带跃迁峰, 447, 465和600 nm附近的峰是与单极化子有关的电子跃迁; 而在770和900 nm附近的峰则是与双极化子有关的电子跃迁峰.

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