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报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验，得到200nm的最大带隙波长蓝移．另外，采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器，其性能与未混杂的激光器相当．
使用SiO2介质膜实现InGaAsP量子阱混杂
【摘 要】
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报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验，得到200nm的最大带隙波长蓝移．另外，采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器，其性能与未混杂的激光器相
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年8期
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