磁控溅射法制备一维CdTe纳米棒阵列研究

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利用磁控溅射法,研究了不同基底温度和工作气压对CdTe薄膜微纳米结构的影响.XRD 和SEM 表征结果表明,基底温度直接决定着CdTe粒子的生长和表面扩散能力,工作气压会直接影响入射在衬底表面的粒子能量,溅射功率决定提供CdTe粒子的量.通过生长条件的进一步探索和优化,最终在溅射功率为84W、工作气压为0.4Pa和石英基底温度为200-450℃时成功获得直径约150nm,形貌均一的一维CdTe纳米棒阵列.
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