强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiooalpkla

【摘要】

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采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构.对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试.测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到

【作者】

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刘玉奎殷万军谭开洲崔伟

【机构】

：

中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060;模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2021年1期

【关键词】

：

微分负阻碰撞电离 MOS-Bipolar复合模式静电释放

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采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构.对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试.测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善.对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流IDT是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值VGS0,它会呈现IDT-VGs微分负阻现象.从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对IDT-VGS微分负阻现象进行了理论分析.研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计.

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