【摘 要】
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基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、
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基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高质量的外延材料。
The MOCVD epitaxial growth of a large strain In0.34Ga0.66As / GaAs / Al0.35Ga0.65As microstrip superlattice was studied based on the medium-wave infrared (peak response wavelength 4.5μm) quantum well infrared detector QWIP. By optimizing the growth parameters such as growth temperature, growth rate, Ⅴ / Ⅲ ratio and interfacial growth interruption time, high quality epitaxial materials were obtained.
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