【摘 要】
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采用传统烧结工艺制备了Cu掺杂的（Li,Na,K）NbO3基无铅压电陶瓷,研究了Cu掺杂量对陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明：当Cu掺杂量x≤1.2%（摩尔分数）时,陶瓷的晶粒度和致密度随Cu掺
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院,河南科技大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20090006110010)
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采用传统烧结工艺制备了Cu掺杂的（Li,Na,K）NbO3基无铅压电陶瓷,研究了Cu掺杂量对陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明：当Cu掺杂量x≤1.2%（摩尔分数）时,陶瓷的晶粒度和致密度随Cu掺杂量的增加而增大,在x=1.2%时其相对密度达到最大值94.6%。当x〉0.8%时,陶瓷中开始出现杂相,导致其压电性能下降。陶瓷的压电常数d33和机电耦合系数kp在x=0.8%时分别达最大值186 pC/N和33%。Cu的掺杂为受主掺杂,使陶瓷呈现一定的＂硬性＂,陶瓷的机械品质因数Qm由x=0.3%时的162提高
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