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本文设计了一种高氚增殖比包层（ HBRB）, 该包层采用多孔U-10Zr合金作为中子倍增剂, Li4SiO4 球床作为增殖剂,低活化马氏体（RAFM）钢作为结构材料.在详细研究包层加工工艺、流量分配、中子 性能等问题的基础上,完成了包层内部详细结构设计.利用中子学软件分析计算了包层的氚增殖比 （TBR）和热沉积分布,并根据计算结果对包层进行热力耦合分析.结果表明：包层T B R较高,且核性能 稳定;冷却剂的流量分配情况和压降合理;包层内各组件冷却充分,温度和结构材料热应力不超过限值.