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针对532 nm纳秒单脉冲激光辐照单晶硅、砷化镓(GaAs)太阳能电池的损伤效应，结合电池的结构和等效电路，分析了纳秒单脉冲激光对两种太阳能电池的损伤机理。结果表明，激光辐照区域的太阳能电池组成成份改变，PN结内部缺陷增多，载流子复合几率增大，导致太阳能电池输出性能下降，单晶硅材料的电池输出性能下降并不明显，而GaAs材料的电池由于砷等元素的升华，镓等金属元素的熔融再凝固过程，形成一个连接电池正负极的导电通路，导致GaAs电池不能正常工作。