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变频器逆变输出模块IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。但逆变模块非常脆弱，一不小心就会过压、过流损坏。
变频器逆变模块损坏原因分析
【摘 要】
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变频器逆变输出模块IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速
【机 构】
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佳惠机电设备维修中心
【出 处】
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自动化应用
【发表日期】
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2010年2期
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