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本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.
GaAlAs／GaAs多量子阱激光器结构设计
【摘 要】
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本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光
【机 构】
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InstofSemiconductor
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年8期
【基金项目】
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中国科学院重点资助
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