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研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌得到维持的原因.
自组织SiGe量子环的生长与形貌维持
【摘 要】
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研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年z1期
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