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研究了单层MoO3（5nm）和复合Au（4nm）/MoO3（5nm）HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB（40nm）/Alq3（60nm）/LiF（1nm）/Al（100nm）。与单层MoO3HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3HIL的器件具有较大的电流和亮度。这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率。