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研究了国产非加固PMOS管在不同剂量率条件下的电离辐照效应及较高剂量率辐照后的退火效应。研究表明，用较高剂量率辐照加退火不能达到其低剂量率辐照导致的阈电压漂移。因此PMOS管的电离辐照效应并非时间相关效应．而是低剂量率辐射损伤增强效应。
PMOS管的低剂量率辐射损伤增强效应
【摘 要】
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研究了国产非加固PMOS管在不同剂量率条件下的电离辐照效应及较高剂量率辐照后的退火效应。研究表明，用较高剂量率辐照加退火不能达到其低剂量率辐照导致的阈电压漂移。因此PM
【机 构】
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长沙理工大学,中南大学,中国科学院新疆理化技术所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2009年2期
【基金项目】
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湖南省教育厅青年项目（038006）,湖南省教育厅一般项目（06C129）
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