【摘 要】
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采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的新方法,测量了硅片(100)上四种厚度(0.24μm,0.53μm,1.28μm,3.42μm)磁控溅射纯铜膜应力随温度(20～300℃)的变化,发现屈服强度
【机 构】
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西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 西安710049rrrrrrrrn,西安710049rr
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采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的新方法,测量了硅片(100)上四种厚度(0.24μm,0.53μm,1.28μm,3.42μm)磁控溅射纯铜膜应力随温度(20～300℃)的变化,发现屈服强度与膜厚倒数成线性关系.
A new method of measuring the film stress on the substrate by fixed-point laser reflection thermal cycling was used to measure the stress-strain curves of the four pure copper films (0.24μm, 0.53μm, 1.28μm, 3.42μm) on the silicon wafer (100) 20 ~ 300 ℃) changes, found that yield strength and film thickness reciprocal linear relationship.
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