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研究了原位退火对用氢化物外延方法在（0001）面蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）外延薄膜的结构和光学性能的影响．测试表明，氨气气氛下在生长温度进行的原位退火，明显提高了GaN外延膜的质量．x射线衍射（XRD）分析表明，随着原位退火时间的增加，（0002）面和（10T2）面摇摆曲线的半峰宽逐渐变窄．喇曼散射谱显示样品退火后E2（high）峰位向低频区移动；随着退火时问的延长，趋向于块状GaN的峰位．可见，原位退火使GaN外延膜中的双轴应力明显减少．光致发光的测试结果与XRD和喇曼散射谱的结论一致．表明原位