【摘 要】
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针对垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响进行数值模拟研究,分别考虑预混合进口和分隔进口两种情况。通过对包含主要化学反应路径的气体输运过程的模拟,对比不同进
【机 构】
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江苏大学能源与动力工程学院,南京大学电子科学与工程学院
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针对垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响进行数值模拟研究,分别考虑预混合进口和分隔进口两种情况。通过对包含主要化学反应路径的气体输运过程的模拟,对比不同进口温度下衬底前沿的反应前体浓度及其对应的生长速率的变化,从而确定进口温度对化学反应路径及生长速率的影响关系。结果表明,两种进口情况下,随着进口温度的升高,生长速率均呈现先增大后减小的趋势。预混合时,进口温度约500K时生长速率最大;分隔进口时,进口温度约800K时生长速率最大。这主要是由于,生长速率取决于衬底上方边界层内含Ga粒子的浓度梯
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