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在低温和强磁场下，通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN／GaN异质结二维电子气（2DEG）的磁电阻振荡现象．观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率．
Al组分对AlxGa1-xN／GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
【摘 要】
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在低温和强磁场下，通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN／GaN异质结二维电子气（2DEG）的磁电阻振荡现象．观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率．
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年2期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划（批准号：G20000683,G001CB3095）,国家高技术研究发展计划（批准号：2002AA305304）,国家自然科学基金（批准号,60444007,60136020,10374094）,国家杰出青年基金（批准号：60325413）和教育部博士点基金（批准号：20020284023）资助项目
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