【摘 要】
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日立制作所日前宣布 ,成功开发出驱动电压全球最低、仅为 0 .4V的 SRAM电路技术 ,该技术可作为便携式信息终端等产品使用的 SOC(系统芯片 )缓存。此前 ,日立已经开发了以 0 .
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日立制作所日前宣布 ,成功开发出驱动电压全球最低、仅为 0 .4V的 SRAM电路技术 ,该技术可作为便携式信息终端等产品使用的 SOC(系统芯片 )缓存。此前 ,日立已经开发了以 0 .65V的电源电压驱动的 SRAM。为了进一步降低电压 ,此次又新开发了两项技术 :(1 )通过对 SRAM电路中的数
Hitachi has announced the successful development of the world’s lowest driving voltage of only 0. .4V SRAM circuit technology, which can be used as portable information terminals and other products SOC (system on chip) cache. Hitachi has previously developed a SRAM driven at a supply voltage of 0.65V. In order to further reduce the voltage, this time the development of two new technologies: (1) by the number of SRAM circuits
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