【摘 要】
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报道了用纳米碳管模板法制备的GaP纳米棒的拉曼光谱特征. 观测到声子限制效应引起的GaP纳米棒TO和LO模的红移. 红移量一般在2～10cm-1之间,与所测到的纳米棒的尺寸有关. 在偏振
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083清华大学物理系,北京,100084;
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报道了用纳米碳管模板法制备的GaP纳米棒的拉曼光谱特征. 观测到声子限制效应引起的GaP纳米棒TO和LO模的红移. 红移量一般在2～10cm-1之间,与所测到的纳米棒的尺寸有关. 在偏振特性研究中,发现GaP纳米棒的偏振特性不能用单根纳米棒的选择定则来解释,而与测量光斑内多根纳米棒的无序取向有关. 无序程度越高,偏振特性的方向性越弱. 当激发光功率增加时,GaP纳米棒的TO和LO模的频率显著减少,表明纳米棒中的激光加热效应比体材料中强很多. 而且GaP纳米棒的拉曼散射强度随激发光功率的增加先饱和,然后减小,表明在强激发功率下GaP纳米棒中的缺陷会迅速增加.
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