平行磁场下半导体超晶格电子结构(英文)

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bsky613
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Electron and hole subbands of superlattices in an in-plane magnetic field are investigated. Landau energy levels, subband dispersion curves and optical transition probabilities in GaAs-AlxGa1-xAs are calculated by using the effective mass theory. The variations of the binding energies of light and heavy hole excitoas as functions of quantum well width and magnetic field strength are obtained.Electronic energy levels in a magnetic field (in xy plane) with the tilting away from the growth direction (y axis) are calculated and discussed. Electron and hole subbands of superlattices in an in-plane magnetic field are investigated. Landau energy levels, subband dispersion curves and optical transition probabilities in GaAs-AlxGa1-xAs are calculated by using the effective mass theory. The variations of the binding energies of light and heavy hole excitoas as functions of quantum well width and magnetic field strength are obtained. Electronic energy levels in a magnetic field (in xy plane) with the tilting away from the growth direction (y axis) are calculated and discussed.
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