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研究了入射光调制条件下Ce：KNSBN晶体两波耦合动态过程．结果表明，入射光调制抑制了光扇噪音对Ce：KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响，提高了透射信号光强度．同时研究了入射光光强比Ip／Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm／Gf的影响．结果显示，同一Io下，Ip／Is为100时，Gm／Gf到达峰值1．52，对应的最佳调制频率为150Hz；同一Ip／Is下，Io为57mW／cm^2时，Gm／Gf最大为1．53，对应的最佳调制频率为175Hz．