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复合式热屏对Φ200mmCZSi单晶生长速率和氧含量的影响
复合式热屏对Φ200mmCZSi单晶生长速率和氧含量的影响
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:imoogi8406
【摘 要】
:
对φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进,施加了复合式热屏.对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析,并对该系统的氩气流场进行了数值模拟.研究了复合式热
【作 者】
:
任丙彦
赵龙
傅洪波
曹中谦
张学强
【机 构】
:
河北工业大学材料学院,河北晶龙实业集团
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2005年9期
【关键词】
:
热屏
氧含量
温度梯度
拉速
heat shield oxygen concentration temperature gradient pull speed
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对φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进,施加了复合式热屏.对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析,并对该系统的氩气流场进行了数值模拟.研究了复合式热屏影响拉速和单晶氧含量的机理.实验表明本文采用的复合式热屏和氩气流场可以提高拉速,降低硅单晶氧含量.
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