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系统研究了低剂量率γ和β射线辐照对不同工作状态下的InSb霍尔器件输入电阻、输出电阻、磁电阻及霍尔灵敏度等电磁参数的影响，结果表明，γ和β粒子通过电离、位移效应与器件相互作用，导致器件的宏观电磁参数发生复杂变化。这些变化不因辐照停止而消失，反映了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性。恒流激励、无磁场作用时，所进行的辐照均使器件的输入电阻增加，并与辐照时间成正比。恒流激励、有确定磁场作用时，输入电阻、霍尔输出电压也因γ射线辐照而增加，但由于磁场的影响，增加量较小，且与辐照时间不成正比。无源、无磁场作用时，虽然