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制备具有取向性好的碳纳米管阵列，尤其在硅基上的定向生长对实现碳纳米管的应用有着十分重要的意义．采用有机气体催化热解的方法，以多孔硅为模板，在硅基上制备出了具有取向性的碳纳米管阵列．结果表明，这种具有取向性的碳纳米管石墨化程度较高．孔径在１０～１００ｎｍ之间的多孔硅衬底，对碳纳米管的生长有控制作用，碳纳米管的直径随着衬底孔径的增大而增大．而大孔硅则没有类似的控制作用．