论文部分内容阅读
利用磁控溅射方法在Si（001）基片上制备Ti/Pt底电极,其厚度大概分别为20、100 nm,其中Ti电极作为缓冲层,随后在上面溅射PZT铁电薄膜.研究了不同电极的制备工艺对电极形貌、取向以及对PZT铁电薄膜的制备带来的影响.结果表明,底电极的溅射温度以及退火温度对于底电极起着至关重要的作用,同时具有良好（111）取向的、致密性较好的底电极对于PZT铁电薄膜的生长具有重要的影响.