【摘 要】
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富士通公司已投入市场一种CMOS型256Kbit动态随机存贮器DRAM,它可用两种方式工作,低功耗(等待时电流最大0.3mA,小于1/10NMOS的DRAM),在高速时工作(过程时间最大45ns/55ns/70
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富士通公司已投入市场一种CMOS型256Kbit动态随机存贮器DRAM,它可用两种方式工作,低功耗(等待时电流最大0.3mA,小于1/10NMOS的DRAM),在高速时工作(过程时间最大45ns/55ns/70ns)。样品已出来,大最生产在1986年10月,预计
Fujitsu Limited has put into market a CMOS 256Kbit dynamic random access memory DRAM that can operate in two modes with low power consumption (up to 0.3mA standby current and less than 1 / 10NM DRAM) while operating at high speed (process time Maximum 45ns / 55ns / 70ns). Samples have been out, most of the largest production in October 1986, is expected
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